电子科学与工程学院 大型仪器设备开放共享管理系统
  • 第十八届国际超导电子学会议在我校成功召开

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电子学院工会“访人民海军诞生地,看泰州发展新成就”学习考察 2024-07-14 12:56
科教融汇、培养拔尖创新人才---电子学院举办本科大创项目中期答辩会暨520校庆报告会 2024-07-14 12:54
仪器预约
清华大学杨华中讲座 2024-07-14 12:54
电子学院与就业中心共赴紫金山实验室开展主题党日暨访企拓岗活动 2024-07-14 12:50
我院教师在第十一届全国电工电子基础课程实验教学案例设计竞赛(鼎阳杯)中喜获佳绩 2024-07-14 12:49
送样测试
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(产教平台)JYT快速退火炉(电子楼201微制造中心)
温度检测方式为热电偶和光学高温计;最高工作温度1200℃;升温速率1℃/s~200℃/s,可设定;工作气路3路,分别为Ar、N2和O2;MFC控制;可选择真空或大气压条件下进行热处理;样品最大直径为8英寸晶片,向下兼容。 本设备主要用于微加工制程中的金属合金、结晶化、热氧化和热退火等工艺;
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(产教平台)Beneq原子层沉积(电子楼201微制造中心)
配备4路前驱体源主管路,其中1路用于常温高前驱体源输送,3路用于加热前驱体源输送(包括1路用于饱和蒸气压非常低的前驱体源);   前驱体源主输送主管路要求配备加热套,所有管路均包裹在加热套中,最高加热温度可达200℃。配置温度传感器,温度控制精度满足±1℃;   每路管路配swagelok ALD专用阀门,最高加热温度可达200℃,温度控制精度满足±1℃;   工艺气体管路采用电抛光不锈钢材料,接头必须采用VCR金属密封; 整个系统将包含高真空有机外延生长与原位监测系统、在线光谱学表征系统、器件制备与测量系统,并通过真空互联系统和控制系统集成,保证样品制备、表征与器件加工过程全程无暴露于空气中,防止引入杂质与污染,最大程度降低界面态的影响,对器件性能进一步提升及逼近理论极限具有重要的指导意义。通过该项目的执行,实现高质量材料-精准界面调控-高性能器件的跨越,进而推动二维材料电子与光电子器件的应用与发展。
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(产教平台)Park原子力显微镜(电子楼201微制造中心)
xy轴40um,z轴7um
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(产教平台)Samco反应离子刻蚀机(电子楼201微制造中心)
最大可加工基片8英寸/功率0-300w/工艺气体CF4、SF6、O2、Ar 硅基材料刻蚀 Si、SiO2、SiNx、SiC、MoS2、石墨烯等材料的刻蚀
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DE电子束蒸发(电子楼201微制造中心)
极限真空2E-8Torr/最大可同时加工4片6英寸片/10kV电子枪,5个25cc坩埚位 金属和半导体薄膜沉积 Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、SiO2等多种金属和半导体材料的物理气相沉积
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FSE磁控溅射(电子楼201微制造中心)
终端压力:3.0E-7Torr 溅射生长薄膜材料 生长ITO薄膜
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